2025-11-21
手机快充“芯”突破!趣购彩welcome登录EM14DN30Z双N MOS,解决高压大电流充电痛点
ET9668是一款内置9mΩ功率开关管的OVP芯片,最高支持28V事情电压。其内置的过压掩护关断?榭梢yuanVす囟舷煊κ奔涞陀50ns,通例体现在10ns左右,这种响应速率是“OVP控制芯片+外置FET”的方案所无法到达的。同时,gai芯片还内置了200V浪涌掩护?,这样能够最洪流平上镌汰产物电源接口掩护电路的元件数目,降低设计难度。
gai产物已经通过客户全套测试并开shi批量上市,为客户的旗舰AI智能手机保驾护航。
产物特征
全温度规模6A一连电流能力
内置9mΩ(典型值)N型功率管
输入电压规模:2.8V至28V
内置21.9V和12.4V过压阈值可选
最大50ns过压关断响应时间
内置±200V浪涌掩护
定制的OTG模式
VBUS动态放电治理
±4KV ESD掩护能力(HBM)
WLCSP20封装
管脚界说

典型应用
